Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

BSM25GD120DN2

IGBT 1200V

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
BSM25GD120DN2 Infineon Technologies
BSM25GD120DN2 Infineon Technologies
ks
ID Code:160826
Výrobce:Infineon Technologies
Cena s DPH : 149,595656 €
Cena bez DPH : 123,632774 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: BSM25GD120DN2
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 123,632774 €149,595657 €
5 + 116,564659 €141,043237 €
10 + 102,467917 €123,986180 €
20 + 98,914116 €119,686080 €
IGBT 1200V

Základné informácie:

Označenie výrobcuBSM25GD120DN2 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:Bridge 3f 
Konštrukcia:6*(IGBT+D) 
Počet obvodov (v puzdre) 6 ks
Typ puzdra:Modul 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:233.2 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):10 

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)35 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)25 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax s chladičom (TC=25°C)200 [W]
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)130 [ns]
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)50 [ns]
Qg (Total Gate Charge)140 [nC]
Cin (Input Capacitance)1650 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.06 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

!_potrebujete poradit ?_! BSM25GD120DN2 Infineon Technologies

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie