IGBT 1200V / 800A, Dual
ID Code: | 136006 |
Výrobce: | Dynex Semiconductor |
Cena s DPH : | 998,871248 € |
Cena bez DPH : | 825,513428 € |
DPH: | 21 % |
Dostupnosť: | na dotaz |
Spolu skladom: | 0 ks |
Označenie výrobcu: | DIM800DDM12-A000 |
Jednotka: | ks |
Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 825,513428 € | 998,871248 € | ||
3 + | 804,857820 € | 973,877962 € | ||
6 + | 763,586098 € | 923,939179 € | ||
12 + | 701,698262 € | 849,054897 € |
Označenie výrobcu | DIM800DDM12-A000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | single 2*(T+D) |
Konštrukcia: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 2 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | MODUL-D |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 1185.5 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 2 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 800 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 800 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.1 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 100000 [A2s] |
Pmax s chladičom (TC=25°C) | 6940 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 220 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 200 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 9000 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 90000 [pF] |
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 130x140x38 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.018 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
L - Dĺžka | 130 [mm] |
W - Šírka | 140 [mm] |
H - Výška | 38 [mm] |