IGBT Module 3300V/1200A Single,
Základné informácie:
Označenie výrobcu | DIM1200ESM33-F000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | single-E3*(T+D) |
Konštrukcia: | 3*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 3 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | MODUL-E |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | ALSiC |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 1900 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 2 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 1200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.9 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.8 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 720000 [A2s] |
Pmax s chladičom (TC=25°C) | 15600 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 275 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 230 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 30000 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 216000 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 190x140x38 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.008 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.016 [°C/W] |
L - Dĺžka | 190 [mm] |
W - Šírka | 140 [mm] |
H - Výška | 38 [mm] |
Alternatívy a náhrady
Alternatívne tovary 1: | FZ1200R33KF2C |
Alternatívne tovary 2: | DIM1200ASM33-F000 |