Trans IGBT Module N-CH 1200V 180A 960000mW 26-Pin ECONO3-4 Tray
Základné informácie:
Označenie výrobcu | F4-150R12KS4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | Bridge 1f |
Konštrukcia: | 4*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 4 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 331.1 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 10 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 180 [A] |
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C) | 150 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.85 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 3.2 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 4300 [A2s] |
Pmax s chladičom (TC=25°C) | 960 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 50 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1600 [nC] |
Teplotné a mechanické parametre:
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.13 [°C/W] ?Rth-c - definície pre rôzne súčiastky
Rth-c = Rthjc pre celé puzdro
Rth-c - fólie plocha inch2 |