Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

FS75R12KE3

IGBT 1200V

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
FS75R12KE3 Infineon Technologies
Tovar už nie je na sklade
ID Code:158567
Výrobce:Infineon Technologies
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: FS75R12KE3
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
IGBT 1200V

Základné informácie:

Označenie výrobcuFS75R12KE3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:Bridge 3f 
Konštrukcia:6*(IGBT+D) 
Počet obvodov (v puzdre) 6 ks
Typ puzdra:Modul 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:198.66 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)105 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)75 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)1200 [A2s]
Pmax s chladičom (TC=25°C)350 [W]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)65 [ns]
Qg (Total Gate Charge)700 [nC]
Cin (Input Capacitance)5300 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.35 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

!_potrebujete poradit ?_! FS75R12KE3 Infineon Technologies

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie