IGBT 1200V
ID Code: | 161599 |
Výrobce: | Infineon Technologies |
Cena s DPH : | 153,873938 € |
Cena bez DPH : | 127,168544 € |
DPH: | 21 % |
Dostupnosť: | na dotaz |
Spolu skladom: | 0 ks |
Označenie výrobcu: | DF200R12KE3 |
Jednotka: | ks |
Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 127,168544 € | 153,873938 € | ||
2 + | 119,897254 € | 145,075677 € | ||
3 + | 105,354673 € | 127,479154 € | ||
6 + | 101,719028 € | 123,080024 € |
Označenie výrobcu | DF200R12KE3 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | High side 1*(Buck Chopper) |
Konštrukcia: | 1*(IGBT+D)+D |
Počet obvodov (v puzdre) | 1 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SEMITRANS-3 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 355 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 3 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 295 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.65 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.7 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 7800000 [A2s] |
Pmax s chladičom (TC=25°C) | 1040 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 90 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 130 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1900 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 14000 [pF] |
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 108x62x31 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.12 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
RM - Rozstup vývodov | 28 [mm] |
L - Dĺžka | 106.4 [mm] |
W - Šírka | 61.4 [mm] |
H - Výška | 30.5 [mm] |
Alternatíva 1: | 171266 - SKM200GAR12E4 (SMK) |
I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3
a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Ozn.výrobcu: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Spolu skladom: 9104 Výrobce: SEMIC EU |