- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- BSM15GD120DN2
BSM15GD120DN2
IGBT 1200V
Tovar už nie je na sklade
| ID Code: | 168031 |
| Výrobce: | Infineon Technologies |
| Cena: | na dotaz |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | BSM15GD120DN2 |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH |
IGBT 1200V
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | BSM15GD120DN2 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurácia: | Bridge 3f |
| Konštrukcia: | 6*(IGBT+D) |
| Počet obvodov (v puzdre) | 6 ks |
| Typ puzdra: | Modul |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 233.2 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 10 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 25 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.4 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 145 [W] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 100 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 45 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 70 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 140 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 1000 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |