IGBT 1200V
ID Code: | 171266 |
Výrobce: | Semikron |
Cena s DPH : | 121,502075 € |
Cena bez DPH : | 100,414938 € |
DPH: | 21 % |
Dostupnosť: | Skladom |
Spolu skladom: | 180 ks |
Označenie výrobcu: | SKM200GAR12E4 |
Centrálny sklad Zdice: | 180 ks |
Jednotka: | ks |
Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 100,414938 € | 121,502075 € | ||
12 + | 87,848251 € | 106,296384 € | ||
48 + | 62,754396 € | 75,932819 € | ||
192 + | 56,471053 € | 68,329974 € |
Označenie výrobcu | SKM200GAR12E4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | High side 1*(Buck Chopper) |
Konštrukcia: | 1*(IGBT+D)+D |
Počet obvodov (v puzdre) | 1 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SEMITRANS-3 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 355 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 12 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 313 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 241 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 40 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 107 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1130 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 12300 [pF] |
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 108x62x31 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.14 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
RM - Rozstup vývodov | 28 [mm] |
L - Dĺžka | 106.4 [mm] |
W - Šírka | 61.4 [mm] |
H - Výška | 30.5 [mm] |
Alternatíva 1: | 161599 - DF200R12KE3 (INF) |
Alternatívne tovary 1: | MDI200-12A4 |
Alternatívne tovary 2: | SKM200GAR123D |
Alternatívne tovary 3: | SKM300GAR123D |
I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3
a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Ozn.výrobcu: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Spolu skladom: 9104 Výrobce: SEMIC EU |