IGBT 1700V 4. generation medium fast trench IGBT
Základné informácie:
Označenie výrobcu | SKM75GB17E4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konštrukcia: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 2 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SEMITRANS-2 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 158.46 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 8 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 88 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 65 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 1.93 [V] |
tr (Turn-on / rise time) | 29 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 140 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 600 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 6800 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.304 [°C/W] ?Rth-c - definície pre rôzne súčiastky
Rth-c = Rthjc pre celé puzdro
Rth-c - fólie plocha inch2 |
L - Dĺžka | 94 [mm] |
W - Šírka | 34 [mm] |
H - Výška | 30 [mm] |
Alternatívy a náhrady
Alternatíva 1: | - BSM75GB170DN2 (INF) |
Alternatíva 2: | 183713 - SKM 75GB17E4H16 (SMK) |