IXGN200N60B3

IGBT 600V

Prílohy:

Kliknutím zväčšíte

IXGN200N60B3_IX.pdf

ID Code:	171553
Výrobce:	Ixys
Cena s DPH :	30,981371 €
Cena bez DPH :	25,604439 €
DPH:	21 %
Dostupnosť:	na dotaz

Spolu skladom:	0 ks
Označenie výrobcu:	IXGN200N60B3
Jednotka:	ks

Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		25,604439 €		30,981371 €
5 +		25,406262 €		30,741577 €
10 +		25,009909 €		30,261990 €
20 +		24,811732 €		30,022196 €

IGBT 600V

Základné informácie:

Označenie výrobcu	IXGN200N60B3
Kategorie	IGBT Full Silicon
Konfigurácia:	single (1T)
Konštrukcia:	1*IGBT
Počet obvodov (v puzdre)	1 ks
Typ puzdra:	Modul
Puzdro [inch] :	SOT-227
Typ materiálu:	Si-Silicon
RoHS	Áno
REACH	Nie
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Balenie a hmotnosť:

Jednotka	ks
Hmotnosť:	36 [g]
Typ balenia:	TUBE
Malé balenie (počet jednotiek):	10

Elektro-fyzikálne parametre:

I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	300 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=100÷109°C)	200 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	2500 [V]
U_{CE (sat)} (@25°C)	1.5 [V]
P_max s chladičom (T_C=25°C)	830 [W]
t_r (Turn-on / rise time)	44 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	310 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	750 [nC]
C_in (Input Capacitance)	26000 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

*Rozmery (LWH)* [mm]:	38.125.312.0
T_min (minimálna pracovná teplota)	-55 [°C]
T_max (maximálna pracovná teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.15 [°C/W] ? R_th-c - definície pre rôzne súčiastky R_th-c= R_thjc pre celé puzdro R_th-c- fólie plocha inch²
RM - Rozstup vývodov	15 [mm]
RM1 - Rozteč radov vývodov	12.7 [mm]
D - Ø (Vonkajší priemer)	4.1 [mm]
L - Dĺžka	38.1 [mm]
W - Šírka	25.3 [mm]
H - Výška	12 [mm]

Alternatívy a náhrady

Alternatíva 1:

171551 - IXGN200N60B (IXY)

Súvisiace produkty - IXGN200N60B3

I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709 Ozn.výrobcu: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni