Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

SKIIP2013GB172-4DW

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
SKIIP2013GB172-4DW Semikron
SKIIP2013GB172-4DW Semikron
SKIIP2013GB172-4DW Semikron
ks
ID Code:170827
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 3 589,140995 €
Cena bez DPH : 2 966,232227 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: SKiiP2013GB172-4DW
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 2 966,232227 €3 589,140995 €
9 + 2 471,879937 €2 990,974724 €
54 + 2 224,684044 €2 691,867693 €
216 + 2 101,105845 €2 542,338072 €


Základné informácie:

Označenie výrobcuSKiiP2013GB172-4DW 
KategorieIGBT IPM-Inteligent 
Konfigurácia:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konštrukcia:8*IGBT+8*D 
Počet obvodov (v puzdre) 8 ks
Typ puzdra:Modul 
Puzdro [inch] :SKiiP3-4F 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:11100 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):10 

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)2102 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)1617 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)5600 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.9 [V]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)75000 [V/µs]
I2t (TC/TA=25°C)911000 [A2s]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)85 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.015 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

!_potrebujete poradit ?_! SKIIP2013GB172-4DW Semikron

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie