Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

SK50GD07E3ETE1

IGBT 1200V

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
SK50GD07E3ETE1 Semikron
SK50GD07E3ETE1 Semikron
ks
ID Code:177543
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 106,756243 €
Cena bez DPH : 88,228300 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: SK50GD07E3ETE1
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 88,228300 €106,756243 €
16 + 56,282204 €68,101467 €
160 + 43,955608 €53,186286 €
480 + 41,775664 €50,548553 €
IGBT 1200V

Základné informácie:

Označenie výrobcuSK50GD07E3ETE1 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:Bridge 3f -SE(single emiter) 
Konštrukcia:6*(IGBT+D) 
Počet obvodov (v puzdre) 6 ks
Typ puzdra:Modul 
Puzdro [inch] :SEMITOP-E1 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:68.24 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)49 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)39 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.37 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Cin (Input Capacitance)3114 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.9 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

!_potrebujete poradit ?_! SK50GD07E3ETE1 Semikron

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie