Asymetrický, překlenovací Thyristor 4500V / 2900A pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích převodníků zdrojů napětí. Velmi vysoká odolnost proto kosmickému záření a hodnocení FIT, vysoká odolnost přepětí
Řada Asymetric - Bypass Thyristors je speciálně navržena pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích měničů napětí, kde je vyžadováno snížené dopředné blokovací napětí.
Primární charakteristikou překelnovacího tyristoru, který vymezuje odchylku proudu od IGBT diody, je dynamické zapínací napětí, přičemž celkový čas zapnutí jdruhotně neovlivňuje. Pro ochranu VSC byly vyrobeny vysoce optimalizované, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass tyristorovy.
Technologie VSC (Voltage Source Converter) poskytuje řadu výhod oproti tradičnímu (LCC) HVDC, včetně samočinné komutace, malých rozměrů a schopnosti černého startu a je stále populárnější v aplikacích, jako je větrné elektrárny na moři. schopnost IGBT diody je snížena, efektivní odklon proudu je nezbyt
Základné informácie:
Označenie výrobcu | ACR2900VR45 |
Typ súčiastky: | Trisil |
Kategorie | Trisil-Overvoltage Protection |
Konfigurácia: | single TY |
Typ puzdra: | PUK |
Puzdro [inch] : | PUK110/73x27T |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 1200 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 6 |
Elektro-fyzikálne parametre:
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C) | 2900 [A] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 10000 [V/µs] |
di/dt (critical rate of rise of on-state current) | 400 [A/µs] |
I2t (TC/TA=25°C) | 7600000 [A2s] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 3000 [ns] |
Teplotné a mechanické parametre:
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.00746 [°C/W] ?Rth-c - definície pre rôzne súčiastky
Rth-c = Rthjc pre celé puzdro
Rth-c - fólie plocha inch2 |
D - Ø (Vonkajší priemer) | 110 [mm] |
H - Výška | 27 [mm] |
Fmin: | 48000 [N] |
Fmax: | 59000 [N] |