ACR3200VR33
Překlenovací Thyristor 3300V / 3200A pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích VSC
| ID Code: | 183764 |
| Výrobce: | Dynex Semiconductor |
| Cena s DPH : | 873,6784 € |
| Cena bez DPH : | 722,0483 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | ACR3200VR33 |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| množstevné zl´avy | Množstvo | Cena bez DPH | Cena s DPH |
| 1 + | 722,0483 € | 873,6784 € |
| 3 + | 703,9971 € | 851,8364 € |
Asymetrický, překlenovací Thyristor 4500V / 2900A pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích převodníků zdrojů napětí. Velmi vysoká odolnost proto kosmickému záření a hodnocení FIT, vysoká odolnost přepětí
Řada Asymetric - Bypass Thyristors je speciálně navržena pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích měničů napětí, kde je vyžadováno snížené dopředné blokovací napětí.
Primární charakteristikou překelnovacího tyristoru, který vymezuje odchylku proudu od IGBT diody, je dynamické zapínací napětí, přičemž celkový čas zapnutí jdruhotně neovlivňuje. Pro ochranu VSC byly vyrobeny vysoce optimalizované, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass tyristorovy.
Technologie VSC (Voltage Source Converter) poskytuje řadu výhod oproti tradičnímu (LCC) HVDC, včetně samočinné komutace, malých rozměrů a schopnosti černého startu a je stále populárnější v aplikacích, jako je větrné elektrárny na moři. schopnost IGBT diody je snížena, efektivní odklon proudu je nezbyt
Řada Asymetric - Bypass Thyristors je speciálně navržena pro ochranu IGBT modulů ve víceúrovňových aplikacích měničů napětí, kde je vyžadováno snížené dopředné blokovací napětí.
Primární charakteristikou překelnovacího tyristoru, který vymezuje odchylku proudu od IGBT diody, je dynamické zapínací napětí, přičemž celkový čas zapnutí jdruhotně neovlivňuje. Pro ochranu VSC byly vyrobeny vysoce optimalizované, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass tyristorovy.
Technologie VSC (Voltage Source Converter) poskytuje řadu výhod oproti tradičnímu (LCC) HVDC, včetně samočinné komutace, malých rozměrů a schopnosti černého startu a je stále populárnější v aplikacích, jako je větrné elektrárny na moři. schopnost IGBT diody je snížena, efektivní odklon proudu je nezbyt
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | ACR3200VR33 |
| Typ puzdra: | PUK |
| Puzdro: | !_puk110/73x27t_! |
| Kategorie | Trisil-Overvoltage Protection |
| Typ súčiastky: | TRISIL |
| Konfigurácia: | 1xTyristor |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | N |
Elektrické parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 3300 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 3200 [A] ? Prúd pri najnižšej teplote. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=60÷69°C) | 3200 [A] |
| du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 10000 [V/µs] |
| di/dt (critical rate of rise of on-state current) | 400 [A/µs] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 9240 [1000*A2s] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 3000 [ns] |
Materiál, farba, prevedenie:
| Typ materiálu: | !_si-silicon_! |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.00746 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
| Fmin: | 48000 [N] |
| Fmax: | 59000 [N] |
Rozmery:
| Rozmery vývodov | 0.00 [mm] |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 1100 [g] |
| Balenie: | 6 |
Súvisiace produkty - ACR3200VR33
 |
H.CD01/102/28kN/L180 ID: 107043 Ozn.výrobcu: CD01/102/28kN/L180 | na dotaz Výrobce: PADA engineering |
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.
Copyright © www.semic.sk,
provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz