- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- APT150GT120JR
APT150GT120JR
Trans IGBT Module N-CH 1200V 170A 830000mW
| ID Code: | 187811 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 90,458479 € |
| Cena bez DPH : | 74,759073 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | APT150GT120JR |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 74,759073 € | 90,458479 € | ||
| 5 + | 71,645684 € | 86,691277 € | ||
| 10 + | 68,530654 € | 82,922091 € | ||
| 25 + | 65,415624 € | 79,152905 € |
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | APT150GT120JR |
| Typ súčiastky: | IGBT-NPT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurácia: | single (1T) |
| Konštrukcia: | 1*IGBT |
| Počet obvodov (v puzdre) | 1 ks |
| Typ puzdra: | Modul |
| Puzdro [inch] : | SOT-227 |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 36 [g] |
| Typ balenia: | TUBE |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 170 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 90 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UCE (sat) (@25°C) | 3.2 [V] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 830 [W] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 70 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 995 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 9300 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Rozmery (L*W*H) [mm]: | SOT-227 |
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.15 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
| RM - Rozstup vývodov | 15 [mm] |
| RM1 - Rozteč radov vývodov | 12.7 [mm] |
| Počet Pinů | 3 |
| D - Ø (Vonkajší priemer) | 4.1 [mm] |
| L - Dĺžka | 38.1 [mm] |
| W - Šírka | 25.3 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |