Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

APT35GA90BD15

PT IGBT, 900V, 63A, 290W, TO-247

ks
ID Code:187773
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 8,906944 €
Cena bez DPH : 7,361111 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: APT35GA90BD15
Dodacia lehota vo výrobe: 42wk-49wk
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 7,361111 €8,906944 €
5 + 7,053175 €8,534342 €
10 + 6,746825 €8,163658 €
25 + 6,440079 €7,792496 €


Základné informácie:

Označenie výrobcuAPT35GA90BD15 
Dodacia lehota vo výrobe42wk-49wk [wk]
Typ súčiastky:IGBT-PT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:single 1*(T+D) 
Konštrukcia:1*(IGBT+D) 
Počet obvodov (v puzdre) 1 ks
Typ puzdra:THT 
Puzdro [inch] :TO-247AD_3 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:7.2 [g]
Typ balenia:TUBE 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)63 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)35 [A]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax s chladičom (TC=25°C)290 [W]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)86 [ns]
Qg (Total Gate Charge)84 [nC]
Cin (Input Capacitance)1934 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Rozmery (L*W*H) [mm]:TO-247 
Tmin (minimálna pracovná teplota)-55 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.43 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.18 [°C/W]
RM - Rozstup vývodov5.45 [mm]
Počet Pinů
D - Ø (Vonkajší priemer)3.65 [mm]
L - Dĺžka 21 [mm]
W - Šírka 16 [mm]
H - Výška [mm]
Rozmery vývodov1,4 [mm]
Lv - Dĺžka vývodov19.8 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! APT35GA90BD15 Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie