Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

APT40GF120JRDQ2

Trans IGBT Module N-CH 1200V 80A 347000mW

ks
ID Code:187839
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 56,654560 €
Cena bez DPH : 46,821950 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: APT40GF120JRDQ2
Dodacia lehota vo výrobe: 42wk-49wk
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 46,821950 €56,654560 €
5 + 44,870509 €54,293316 €
10 + 42,919463 €51,932550 €
25 + 40,968812 €49,572263 €


Základné informácie:

Označenie výrobcuAPT40GF120JRDQ2 
Dodacia lehota vo výrobe42wk-49wk [wk]
Typ súčiastky:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:single 1*(T+D) 
Konštrukcia:1*(IGBT+D) 
Počet obvodov (v puzdre) 1 ks
Typ puzdra:Modul 
Puzdro [inch] :SOT-227 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:36 [g]
Typ balenia:TUBE 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)80 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)42 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax s chladičom (TC=25°C)347 [W]
tr (Turn-on / rise time)43 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)70 [ns]
Qg (Total Gate Charge)340 [nC]
Cin (Input Capacitance)3460 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Rozmery (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimálna pracovná teplota)-55 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.36 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.1 [°C/W]
RM - Rozstup vývodov15 [mm]
RM1 - Rozteč radov vývodov 12.7 [mm]
D - Ø (Vonkajší priemer)4.1 [mm]
L - Dĺžka 38.1 [mm]
W - Šírka 25.3 [mm]
H - Výška 12 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! APT40GF120JRDQ2 Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie