- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- APT50GF120JRDQ3
APT50GF120JRDQ3
Trans IGBT Module N-CH 1200V 120A 521000mW
| ID Code: | 187847 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 123,674554 € |
| Cena bez DPH : | 102,210375 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | APT50GF120JRDQ3 |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 102,210375 € | 123,674554 € | ||
| 5 + | 97,949559 € | 118,518967 € | ||
| 10 + | 93,691204 € | 113,366356 € | ||
| 25 + | 89,432438 € | 108,213250 € |
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | APT50GF120JRDQ3 |
| Typ súčiastky: | IGBT-NPT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurácia: | single 1*(T+D) |
| Konštrukcia: | 1*(IGBT+D) |
| Počet obvodov (v puzdre) | 1 ks |
| Typ puzdra: | Modul |
| Puzdro [inch] : | SOT-227 |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 36 [g] |
| Typ balenia: | TUBE |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 120 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 64 [A] |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 521 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 70 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 65 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 495 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 5320 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Rozmery (L*W*H) [mm]: | SOT-227 |
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.24 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.56 [°C/W] |
| RM - Rozstup vývodov | 15 [mm] |
| RM1 - Rozteč radov vývodov | 12.7 [mm] |
| Počet Pinů | 3 |
| D - Ø (Vonkajší priemer) | 4.1 [mm] |
| L - Dĺžka | 38.1 [mm] |
| W - Šírka | 25.3 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |