Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

APT50GN60BDQ2G

IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
APT50GN60BDQ2G Microsemi / Microchip Technology
ks
ID Code:185727
Výrobce:Microsemi / Microchip Technology
Cena s DPH : 5,9373 €
Cena bez DPH : 4,9068 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: APT50GN60BDQ2G
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 4,9068 €5,9373 €
3 + 4,8294 €5,8435 €
IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Základné informácie:

Označenie výrobcuAPT50GN60BDQ2G 
Typ puzdra:THT 
Puzdro:!_to-247ad_3_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:!_single 1*(t+d)_! 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrické parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)107 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)107 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)64 [A]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Pmax s chladičom (TC=25°C)366 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)22 [ns]
tr (Turn-on / rise time)25 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)100 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.015 [MHz] ?

fmax - definície pre súčiastky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)325 [nC]
Cin (Input Capacitance)3200 [pF]

Materiál, farba, prevedenie:

Typ materiálu:!_si-silicon_! 

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-55 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.41 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.67 [°C/W]

Rozmery:

Počet Pinů
Rozmery vývodov0.00 [mm]

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:12.98 [g]
Malé balenie (počet jednotiek):30 

Alternatívy a náhrady

Alternatívne tovary 1:IXXH75N60B3D1 
Alternatívne tovary 2:IXXH50N60B3D1 

Vaša otázka APT50GN60BDQ2G

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
Váš email:*
Váše telefonne číslo:*
Vaša otázka:*
Prosím prepíšte kód:* antispam
     Ďalšie informácie

pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam
Copyright © www.semic.sk, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.sk

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie