- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G
IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
| ID Code: | 185727 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 11,04 € |
| Cena bez DPH : | 9,13 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | APT50GN60BDQ2G |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| množstevné zl´avy | Množstvo | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 9,13 € | 11,04 € | ||
| 5 + | 8,75 € | 10,59 € | ||
| 10 + | 8,37 € | 10,13 € | ||
| 25 + | 7,99 € | 9,66 € |
IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | APT50GN60BDQ2G |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurácia: | single 1*(T+D) |
| Konštrukcia: | 1*(IGBT+D) |
| Počet obvodov (v puzdre) | 1 ks |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| Typ puzdra: | THT |
| Puzdro: | !_to-247ad_3_! |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 7.2 [g] |
| Typ balenia: | TUBE |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 30 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 600 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 107 [A] ? Prúd pri najnižšej teplote. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 107 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 64 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 1.45 [V] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 366 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 22 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 25 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 100 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 325 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 3200 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.41 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.67 [°C/W] |
| RM - Rozstup vývodov | 5.45 [mm] |
| Počet Pinů | 3 |
| D - Ø (Vonkajší priemer) | 3.65 [mm] |
| W - Šírka | 16 [mm] |
| L - Dĺžka | 21 [mm] |
| H - Výška | 5 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | TO-247 [mm] |
| Rozmery vývodov | 1,4 [mm] |
| Lv - Dĺžka vývodov | 19.8 [mm] |
Alternatívy a náhrady
| Alternatívne tovary 1: | IXXH75N60B3D1 |
| Alternatívne tovary 2: | IXXH50N60B3D1 |