- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- APT50GR120JD30
APT50GR120JD30
Trans IGBT Module N-CH 1200V 85A 417000mW 4-Pin SOT-227 Tube
| ID Code: | 187850 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 51,704737 € |
| Cena bez DPH : | 42,731187 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | APT50GR120JD30 |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 42,731187 € | 51,704737 € | ||
| 5 + | 40,950174 € | 49,549711 € | ||
| 10 + | 39,169571 € | 47,395181 € | ||
| 25 + | 37,389379 € | 45,241148 € |
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | APT50GR120JD30 |
| Typ súčiastky: | IGBT-NPT |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurácia: | single 1*(T+D) |
| Konštrukcia: | 1*(IGBT+D) |
| Počet obvodov (v puzdre) | 1 ks |
| Typ puzdra: | Modul |
| Puzdro [inch] : | SOT-227 |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 36 [g] |
| Typ balenia: | TUBE |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 84 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 50 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 417 [W] |
| tr (Turn-on / rise time) | 38 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 45 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 330 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 5550 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Rozmery (L*W*H) [mm]: | SOT-227 |
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.3 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 1.1 [°C/W] |
| RM - Rozstup vývodov | 15 [mm] |
| RM1 - Rozteč radov vývodov | 12.7 [mm] |
| Počet Pinů | 4 |
| D - Ø (Vonkajší priemer) | 4.1 [mm] |
| L - Dĺžka | 38.1 [mm] |
| W - Šírka | 25.3 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |