Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

APT80GP60JDQ3

PT IGBT, 600V, 151A, 462W, SOT-227 (ISOTOP)

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
APT80GP60JDQ3 Microchip Technology
APT80GP60JDQ3 Microchip Technology
APT80GP60JDQ3 Microchip Technology
ks
ID Code:187765
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 60,9445 €
Cena bez DPH : 50,3674 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: APT80GP60JDQ3
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 50,3674 €60,9445 €
5 + 48,2687 €58,4052 €
10 + 46,1701 €55,8658 €
25 + 44,0714 €53,3264 €


Základné informácie:

Označenie výrobcuAPT80GP60JDQ3 
Typ súčiastky:IGBT-PT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:single 1*(T+D) 
Konštrukcia:1*(IGBT+D) 
Počet obvodov (v puzdre) 1 ks
Typ materiálu:!_si-silicon_! 
RoHSÁno 
REACHNie 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:36 [g]
Typ balenia:TUBE 
Malé balenie (počet jednotiek):30 

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)151 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)151 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)68 [A]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pmax s chladičom (TC=25°C)462 [W]
tr (Turn-on / rise time)40 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)80 [ns]
Qg (Total Gate Charge)280 [nC]
Cin (Input Capacitance)9840 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-55 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.27 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.6 [°C/W]
RM - Rozstup vývodov15 [mm]
RM1 - Rozteč radov vývodov 12.7 [mm]
Počet Pinů
D - Ø (Vonkajší priemer)4.1 [mm]
W - Šírka 25.3 [mm]
L - Dĺžka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! APT80GP60JDQ3 Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie