IGBT 650V H-Bridge • High speed Trench + Field Stop IGBT 4 Technology
Základné informácie:
Označenie výrobcu | APTGLQ300H65G |
Dodacia lehota vo výrobe | 42wk-49wk [wk] |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | Bridge 1f |
Konštrukcia: | 4*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 4 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SP6-41 |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 330 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 385 [A] |
Idc max (Tc/Ta=60÷69°C) | 300 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.3 [V] |
Pmax s chladičom (TC=25°C) | 1000 [W] |
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 125 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 33 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 21 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1750 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 18300 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 108x62x17 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.15 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.26 [°C/W] |
RM - Rozstup vývodov | 6 [mm] |
L - Dĺžka | 108 [mm] |
W - Šírka | 62 [mm] |
H - Výška | 17 [mm] |
Rozmery vývodov | 2,8 [mm] |
Lv - Dĺžka vývodov | 4 [mm] |