Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

APTGTQ100H65T3G

IGBT 650V obsolete

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
ks
ID Code:185771
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 169,7492 €
Cena bez DPH : 140,2886 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: APTGTQ100H65T3G
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 140,2886 €169,7492 €
5 + 134,4434 €162,6765 €
10 + 128,5978 €155,6034 €
25 + 122,7527 €148,5308 €
IGBT 650V H-Bridge • High speed IGBT 5 up 100kHz

Základné informácie:

Označenie výrobcuAPTGTQ100H65T3G 
Typ súčiastky:Modul 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:Bridge 1f 
Konštrukcia:4*IGBT+4*D 
Počet obvodov (v puzdre) 4 ks
Typ materiálu:!_si-silicon_! 
RoHSÁno 
REACHNie 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:!_sp3f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:125 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):
Veľké balenie (BOX):
Paleta (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)100 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)60 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pmax s chladičom (TC=25°C)250 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)46 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)18 [ns]
Qg (Total Gate Charge)240 [nC]
Cin (Input Capacitance)6000 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.6 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.7 [°C/W]
RM - Rozstup vývodov3.81 [mm]
RM1 - Rozteč radov vývodov 38 [mm]
W - Šírka 42.5 [mm]
L - Dĺžka 73.4 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
Rozmery vývodov1,35 [mm]
Lv - Dĺžka vývodov5.3 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! APTGTQ100H65T3G Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie