Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

APTGTQ200A65T3G

IGBT 650V

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
APTGTQ200A65T3G Microsemi / Microchip Technology
APTGTQ200A65T3G Microsemi / Microchip Technology
ks
ID Code:185776
Výrobce:Microsemi / Microchip Technology
Cena s DPH : 113,3440 €
Cena bez DPH : 93,6728 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: APTGTQ200A65T3G
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 93,6728 €113,3440 €
3 + 91,3485 €110,5316 €
IGBT 650V Half-Bridge • High speed IGBT 5 up 100kHz

Základné informácie:

Označenie výrobcuAPTGTQ200A65T3G 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:!_modul-sp3f_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:Half Bridge 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrické parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)120 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pmax s chladičom (TC=25°C)483 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)46 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)18 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.1 [MHz] ?

fmax - definície pre súčiastky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)480 [nC]
Cin (Input Capacitance)12000 [pF]

Materiál, farba, prevedenie:

Typ materiálu:!_si-silicon_! 

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.31 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.35 [°C/W]

Rozmery:

Rozmery vývodov0.00 [mm]

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:110 [g]
Malé balenie (počet jednotiek):10 

Vaša otázka APTGTQ200A65T3G

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
Váš email:*
Váše telefonne číslo:*
Vaša otázka:*
Prosím prepíšte kód:* antispam
     Ďalšie informácie

pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam
Copyright © www.semic.sk, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.sk

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie