IGBT 650V Half-Bridge • High speed IGBT 5 up 100kHz
Základné informácie:
Označenie výrobcu | APTGTQ200A65T3G |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurácia: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konštrukcia: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodov (v puzdre) | 2 ks |
Typ puzdra: | Modul |
Puzdro [inch] : | SP3F |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
RoHS | Áno |
REACH | Nie |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
Jednotka | ks |
Hmotnosť: | 125 [g] |
Typ balenia: | BOX |
Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 120 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ?Testovacie podmienky: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
Pmax s chladičom (TC=25°C) | 483 [W] |
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 46 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 15 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 18 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 480 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 12000 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
Rozmery (L*W*H) [mm]: | 73x43x12 |
Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.31 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.35 [°C/W] |
RM - Rozstup vývodov | 3.81 [mm] |
RM1 - Rozteč radov vývodov | 38 [mm] |
L - Dĺžka | 73.4 [mm] |
W - Šírka | 42.5 [mm] |
H - Výška | 12 [mm] |
Rozmery vývodov | 1,35 [mm] |
Lv - Dĺžka vývodov | 5.3 [mm] |