- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- FET
- N - kanál
- APTM120UM70DAG
APTM120UM70DAG
MOSFET Single 1200V/171A with Series diodes
| ID Code: | 185819 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 589,944860 € |
| Cena bez DPH : | 487,557736 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | APTM120UM70DAG |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 487,557736 € | 589,944860 € | ||
| 5 + | 467,242591 € | 565,363536 € | ||
| 10 + | 446,927856 € | 540,782706 € | ||
| 25 + | 426,612712 € | 516,201382 € |
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | APTM120UM70DAG |
| Typ súčiastky: | FET Tranzistor |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Konfigurácia: | Single 1*(T-BD+SeriesD) |
| Špecifikácia: | Enhancement Mode |
| Konštrukcia: | 2*FET-BD+1*D |
| Počet obvodov (v puzdre) | 1 ks |
| Typ puzdra: | Modul |
| Puzdro [inch] : | SP6-2 |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 330 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 126 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 5000 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 10V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 80 [mΩ] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 400 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 62 [ns] |
| f max | 50 [kHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 1650 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 43500 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Rozmery (L*W*H) [mm]: | 108x62x17 |
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.025 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
| RM - Rozstup vývodov | 6 [mm] |
| L - Dĺžka | 108 [mm] |
| W - Šírka | 62 [mm] |
| H - Výška | 17 [mm] |
| Rozmery vývodov | 2,8 [mm] |
| Lv - Dĺžka vývodov | 4 [mm] |