- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- IGBT
- Full Silicon
- BSM25GD120DN2E3224
BSM25GD120DN2E3224
IGBT 1200V
| ID Code: | 158559 |
| Výrobce: | Infineon Technologies |
| Cena s DPH : | 150,436460 € |
| Cena bez DPH : | 124,327653 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | BSM25GD120DN2E3224 |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 124,327653 € | 150,436460 € | ||
| 5 + | 117,224389 € | 141,841511 € | ||
| 10 + | 103,017861 € | 124,651612 € | ||
| 20 + | 99,445699 € | 120,329296 € |
IGBT 1200V
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | BSM25GD120DN2E3224 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfigurácia: | Bridge 3f |
| Konštrukcia: | 6*(IGBT+D) |
| Počet obvodov (v puzdre) | 6 ks |
| Typ puzdra: | Modul |
| Typ materiálu: | Si-Silicon |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 214.94 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 10 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 35 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 25 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 200 [W] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 130 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 65 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 50 [ns] |
| Cin (Input Capacitance) | 1650 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.6 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |