Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

BYW100-200

OBSOLETE

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
BYW100-200 ST Microelectronics
BYW100-200 ST Microelectronics
BYW100-200 ST Microelectronics
ks
ID Code:133350
Výrobce:ST Microelectronics
Cena s DPH : 0,317964 €
Cena bez DPH : 0,262780 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: BYW100-200
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Jednotka: ks
Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 0,262780 €0,317964 €
50 + 0,192979 €0,233505 €
200 + 0,180661 €0,218600 €
500 + 0,156025 €0,188790 €
OBSOLETE

Základné informácie:

Označenie výrobcuBYW100-200 
Typ súčiastky:Diode Fast 
KategorieDiode Fast Axial 
Konfigurácia:single (1D) 
Typ puzdra:THT 
Puzdro [inch] :D-3.0x 6.3 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:0.44 [g]
Typ balenia:AMMO 
Malé balenie (počet jednotiek):50 

Elektro-fyzikálne parametre:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1.5 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)1.5 [A]
UF (maximum forward voltage)1.2 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (spätný prúd)10 [µA]
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)35 [ns]

Teplotné a mechanické parametre:

Rozmery (L*W*H) [mm]:D=3x6 
Tmin (minimálna pracovná teplota)[°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rth-a (tepelný odpor)45 [°C/W] ?

Rth-a - definície pre rôzne súčiastky


Rth-a = Rthja pre celé puzdro

Rth-a - chladič dĺžka L=100mm

Rth-a - chladič /ks

Počet Pinů
D - Ø (Vonkajší priemer)[mm]
L - Dĺžka 6.3 [mm]
Rozmery vývodovd=0,80 [mm]
Lv - Dĺžka vývodov28.1 [mm]

Alternatívy a náhrady

Alternatíva 1:135756 - FE2G (DIO) 

!_potrebujete poradit ?_! BYW100-200 ST Microelectronics

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie