Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

DAMI560N100

N-channel MOSFET 100V / 445A

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
DAMI560N100 Daco Semiconductor
DAMI560N100 Daco Semiconductor
DAMI560N100 Daco Semiconductor
ks
ID Code:185431
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena s DPH : 58,3892 €
Cena bez DPH : 48,2555 €
DPH:21 %
Dostupnosť:Objednáno
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: DAMI560N100
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 48,2555 €58,3892 €
3 + 45,7067 €55,3051 €
4 + 44,4539 €53,7892 €
7 + 43,2010 €52,2732 €


Základné informácie:

Označenie výrobcuDAMI560N100 
Typ súčiastky:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfigurácia:Single 1*(T-BD) 
Špecifikácia:!_enhancement mode_! 
Konštrukcia:1*FET-BD 
Počet obvodov (v puzdre) 1 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSÁno 
REACHNie 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:36 [g]
Typ balenia:TUBE 
Malé balenie (počet jednotiek):13 
Veľké balenie (BOX):104 

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)560 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)560 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)445 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičom (TC=25°C)890 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)1.1 [mΩ]
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)126 [ns]
tr (Turn-on / rise time)84 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)110 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1113 [nC]
Cin (Input Capacitance)69242 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-50 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.14 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

RM - Rozstup vývodov15 [mm]
RM1 - Rozteč radov vývodov 12.7 [mm]
D - Ø (Vonkajší priemer)4.1 [mm]
W - Šírka 25.3 [mm]
L - Dĺžka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Alternatívy a náhrady

Alternatíva 1:182243 - IXFN420N10T (IXY) 
Alternatíva 2:178030 - DAMI500N60 (DAC) 
Alternatívne tovary 1:IXFN420N10T 
Alternatívne tovary 2:IXFN520N075T2 

Súvisiace produkty - DAMI560N100

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Ozn.výrobcu: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množstvo [ks]1+10+50+100+
EUR/ks0,77760,75170,69990,6264
Objednáno
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.

!_potrebujete poradit ?_! DAMI560N100 Daco Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie