Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

DIM 125PHM33-TS000

SPT IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, nízké spínací ztráty

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:185401
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 579,6057 €
Cena bez DPH : 479,0129 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: DIM125PHM33-TS000
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 479,0129 €579,6057 €
3 + 467,0463 €565,1260 €
6 + 443,0697 €536,1143 €
12 + 407,1696 €492,6753 €
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, technologie chipu Soft Punch Through a DMOS s vysokou proudovou hustotou.

Základné informácie:

Označenie výrobcuDIM125PHM33-TS000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurácia:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konštrukcia:2*(IGBT+D) 
Počet obvodov (v puzdre) 2 ks
Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSÁno 
REACHNie 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:MODUL - P 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:700 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)125 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)[1000*A2s]
Pmax s chladičom (TC=25°C)1300 [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)520 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)610 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2500 [nC]
Cin (Input Capacitance)22500 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.096 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

W - Šírka 73 [mm]
L - Dĺžka 140 [mm]
H - Výška 38 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)140x73x38 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie