Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

DIM1000ECM33-MS018

IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor
DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:182758
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 1 946,0740 €
Cena bez DPH : 1 608,3257 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: DIM1000ECM33-MS018
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): 0 ks
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 1 608,3257 €1 946,0740 €
3 + 1 568,1341 €1 897,4423 €
IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

Základné informácie:

Označenie výrobcuDIM1000ECM33-MS018 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:MODUL - E 
Konfigurácia:Chopper 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrické parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1000 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.6 [V]
I2t (TC/TA=25°C)320 [1000*A2s]
Pmax s chladičom (TC=25°C)11900 [W]
Esw (125°C)4750 [mJ]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)470 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)640 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.0008 [MHz] ?

fmax - definície pre súčiastky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Materiál, farba, prevedenie:

Typ materiálu:AlSiC základňa 
Materiál: plášťa!_si-silicon_! 

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.006 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.01 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.018 [°C/W]

Rozmery:

Rozmery vývodov0.00 [mm]

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:1400 [g]
Balenie:

Vaša otázka DIM1000ECM33-MS018

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
Váš email:*
Váše telefonne číslo:*
Vaša otázka:*
Prosím prepíšte kód:* antispam
     Ďalšie informácie

pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam
Copyright © www.semic.sk, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semic.sk

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie