FF11MR12W1M1_B11

SiC module 1200V/ 100A

Prílohy:

Kliknutím zväčšíte

FF11MR12W1M1_if.pdf

ID Code:	180130
Výrobce:	Infineon Technologies
Cena s DPH :	272,363744 €
Cena bez DPH :	225,094004 €
DPH:	21 %
Dostupnosť:	na dotaz

Spolu skladom:	0 ks
Označenie výrobcu:	FF11MR12W1M1_B11
Centrálny sklad Zdice:	0 ks
Jednotka:	ks

Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		225,094004 €		272,363745 €
12 +		214,367702 €		259,384919 €
24 +		182,228379 €		220,496339 €
48 +		171,502078 €		207,517514 €

SiC module 1200V/ 100A

Základné informácie:

Označenie výrobcu	FF11MR12W1M1_B11
Typ súčiastky:	SiC MOSFET Tranzistor
Kategorie	Full SiC (MOS-BD)
Konfigurácia:	Half Bridge 1*(Phase Leg)
Špecifikácia:	SiC N-Channel MOSFET
Konštrukcia:	2*FET-BD
Typ puzdra:	Modul
Typ materiálu:	SiC
RoHS	Áno
REACH	Nie
NOVINKA	N
RoHS1	Ano

Balenie a hmotnosť:

Jednotka	ks
Hmotnosť:	26.4 [g]
Typ balenia:	BOX
Malé balenie (počet jednotiek):	24

Elektro-fyzikálne parametre:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V] ? U_dc - definície pre súčiastky U_dc= U_RRM - Dióda U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor U_dc= U_CEO - Tranzistory U_dc= U_max -
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	3000 [V]
Input Logic Level (U_GS level)	20V
t_r (Turn-on / rise time)	16 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	31 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	250 [nC]
C_in (Input Capacitance)	7950 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

T_min (minimálna pracovná teplota)	-40 [°C]
T_max (maximálna pracovná teplota)	150 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.553 [°C/W] ? R_th-c - definície pre rôzne súčiastky R_th-c= R_thjc pre celé puzdro R_th-c- fólie plocha inch²

Súvisiace produkty - FF11MR12W1M1_B11

I+case 33,8x 48_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka bez silikonu pod izol. pouzdra EasyPACK-1 a moduly s keramickou základnou
ID: 176029 Ozn.výrobcu: F05-AL2-33,8x48mm_EASYPACK1

na dotaz

Výrobce: SEMIC EU

Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.