Hybrid SiC

Typ puzdra:(6)

!_mod_! (1) MODUL (5)

Puzdro:(6)

MODUL - E (1) SEMITOP-3 (1) SEMITRANS-3 (3) SEMIX-3p (1)

Konfigurácia:(6)

!_singl-e 3*(t+d)_! (1) Half Bridge (5)

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max) [V] (6)?

U_dc - definície pre súčiastky

U_dc= U_RRM - Dióda

U_dc= U_DRM, U_RRM - Tyristor

U_dc= U_CEO - Tranzistory

U_dc= U_max -

1200 (5) 3300 (1)

I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C) [A] (6)?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.

I_dc=I_{F (AV)} - Diode

I_dc=I_{T (AV)} - Tyristor

I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT

I_dc=I_{D max} - Tranzistor: FET

	DIM1200ESM33-MH00 Rychlé Si IGBT s rychlými SiC diodami - single IGBT Modul 3300V/1200A ID: 185397 Ozn.výrobcu: DIM1200ESM33-MH00	na dotaz Výrobce: Dynex Semiconductor
	SEMiX603GB12E4SiCp IGBT 1200V Hybrid SiC ID: 173637 Ozn.výrobcu: SEMiX603GB12E4SiCp	na dotaz Výrobce: Semikron
	SK50GH12T4T IGBT 1200V ID: 177527 Ozn.výrobcu: SK50GH12T4T	na dotaz
	SKM200GB12F4SiC2 IGBT 1200V Hybrid SiC ID: 173633 Ozn.výrobcu: SKM200GB12F4SiC2	na dotaz Výrobce: Semikron
	SKM200GB12F4SiC3 IGBT 1200V Hybrid SiC ID: 185571 Ozn.výrobcu: SKM200GB12F4SiC3	Výrobce: Semikron
	SKM200GB12T4SiC2 IGBT 1200V Hybrid SiC ID: 173631 Ozn.výrobcu: SKM200GB12T4SiC2	na dotaz Výrobce: Semikron