Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

MSC080SMA120J

1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET in an SOT-227 package, Id = 37A

ks
ID Code:187567
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 33,8092 €
Cena bez DPH : 27,9415 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: MSC080SMA120J
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 27,9415 €33,8092 €
5 + 26,7755 €32,3983 €
10 + 25,6115 €30,9899 €
25 + 24,4471 €29,5809 €


Základné informácie:

Označenie výrobcuMSC080SMA120J 
Typ súčiastky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfigurácia:single 1*(T-BD) 
Špecifikácia:!_sic n-channel mosfet_! 
Konštrukcia:1*FET-BD 
Typ materiálu:!_sic full_! 
RoHSÁno 
REACHNie 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:36 [g]
Typ balenia:TUBE 
Malé balenie (počet jednotiek):10 

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)37 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)37 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)26 [A]
Pmax s chladičom (TC=25°C)200 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)100 [mΩ]
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)34 [ns]
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)15 [ns]
Qg (Total Gate Charge)64 [nC]
Cin (Input Capacitance)838 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-55 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.27 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.75 [°C/W]
RM - Rozstup vývodov15 [mm]
RM1 - Rozteč radov vývodov 12.7 [mm]
Počet Pinů
D - Ø (Vonkajší priemer)4.1 [mm]
W - Šírka 25.3 [mm]
L - Dĺžka 38.1 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

Súvisiace produkty - MSC080SMA120J

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Ozn.výrobcu: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množstvo [ks]1+10+50+100+
EUR/ks0,73160,69090,65030,5690
Spolu skladom: 3202
Výrobce: -  
RoHS
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.

!_potrebujete poradit ?_! MSC080SMA120J Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie