MSCDC100A70D1PAG

Phase Leg SiC Diodes Power Module 700V/100A D1P

Prílohy:

Kliknutím zväčšíte

MSCDC100A70D1PAG_MIS.pdf

Power Management_MCH.pdf

ID Code:	188061
Výrobce:	Microchip Technology
Cena s DPH :	178,019110 €
Cena bez DPH :	147,123231 €
DPH:	21 %
Dostupnosť:	na dotaz

Spolu skladom:	0 ks
Označenie výrobcu:	MSCDC100A70D1PAG
Centrálny sklad Zdice:	0 ks
Jednotka:	ks

Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		147,123231 €		178,019110 €
5 +		140,993644 €		170,602309 €
10 +		134,863646 €		163,185011 €
25 +		128,733238 €		155,767218 €

Základné informácie:

Označenie výrobcu	MSCDC100A70D1PAG
Typ súčiastky:	Diode Schottky SiC
Kategorie	Diode Schottky Modul
Konfigurácia:	serie 2D
Počet obvodov (v puzdre)	2 ks
Typ puzdra:	Modul
Puzdro [inch] :	D1P
Typ materiálu:	SiC
RoHS	Áno
REACH	Nie
NOVINKA	A
RoHS1	Ano

Balenie a hmotnosť:

Jednotka	ks
Hmotnosť:	192 [g]
Typ balenia:	BOX
Malé balenie (počet jednotiek):	1

Elektro-fyzikálne parametre:

I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	100 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=70÷79°C)	100 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	1.8 [V_DC] ? Testovacie podmienky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (spätný prúd)	400 [µA]

Teplotné a mechanické parametre:

*Rozmery (LWH)* [mm]:	94x34x17
T_min (minimálna pracovná teplota)	-40 [°C]
T_max (maximálna pracovná teplota)	175 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.456 [°C/W] ? R_th-c - definície pre rôzne súčiastky R_th-c= R_thjc pre celé puzdro R_th-c- fólie plocha inch²
L - Dĺžka	94 [mm]
W - Šírka	33.8 [mm]
H - Výška	17 [mm]

Súvisiace produkty - MSCDC100A70D1PAG

HW SEMIPACK-1 di 12sad
ID: 137070 Ozn.výrobcu: HWSEMIPACK-1di12sad

Množstvo [ks]	1+	2+	5+	10+
EUR/ks	7,463605	7,422596	7,365184	7,303670

na dotaz

Výrobce: Semikron

I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3 a v rozměru 62x106 mm
ID: 176035 Ozn.výrobcu: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3