Vyberte lokalitu pre doručenie   Jazyk:    Mena:    
V košíku nemáte žiadne položky

MSCDC50H1201AG

1f můstek 1200V/ 50A s SiC schottky diodami

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
MSCDC50H1201AG Microchip Technology
MSCDC50H1201AG Microchip Technology
MSCDC50H1201AG Microchip Technology
ks
ID Code:186159
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 160,7708 €
Cena bez DPH : 132,8684 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: MSCDC50H1201AG
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 132,8684 €160,7708 €
5 + 127,3329 €154,0728 €
10 + 121,7969 €147,3742 €
25 + 116,2608 €140,6756 €
1f můstek MSCDC50H1701AG 1200V/ 50A s SiC schottky diodami
Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF - Snadné paralelní řazení , nízká rozptylová indukčnost, vysoká pracovní přechodu, vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu, nízké ztráty a nízké EMI rušení. Velmi robustní konstrukce, snadná montáž přímo na chladič (izolované pouzdro), Nízký tepelný odpor spoje a pouzdra,
Aplikace: Usměrňovače napájecích zdrojů, Svařecí zařízení a invertory, Vysokorychlostní usměrňovače, Indukční ohřevy, Zdroje nepřerušitelného napájení

Základné informácie:

Označenie výrobcuMSCDC50H1201AG 
Typ súčiastky:Bridge 1f Uncontrolled Schottky 
KategorieBridge Schottky SiC 
Konfigurácia:Bridge 1f 
Počet obvodov (v puzdre) 4 ks
Typ materiálu:SiC 
Medzera (podľa čísla výrobku) 999.99 [mm]
RoHSÁno 
REACHNie 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:!_sp1f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:96 [g]
Typ balenia:TUBE 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)50 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (spätný prúd)200 [µA]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-55 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)175 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.56 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

RM - Rozstup vývodov3.8 [mm]
RM1 - Rozteč radov vývodov 38 [mm]
W - Šírka 42.5 [mm]
L - Dĺžka 51.6 [mm]
H - Výška 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)52x43x12 [mm]
Rozmery vývodov1,4 [mm]
Lv - Dĺžka vývodov5.8 [mm]

Súvisiace produkty - MSCDC50H1201AG

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Ozn.výrobcu: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Množstvo [ks]1+10+50+100+
EUR/ks0,770,730,680,60
Spolu skladom: 110
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.

!_potrebujete poradit ?_! MSCDC50H1201AG Microchip Technology

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!
Váš email
Váše telefonne číslo
Vaša otázka
     Ďalšie informácie




pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie