MSCDC50X1701AG

SiC Diode 3 Phase Bridge Power Module 1700V/ 50A SP1

Prílohy:

Kliknutím zväčšíte

MSCDC50X1701AG_MIS.pdf

Power Management_MCH.pdf

ID Code:	188060
Výrobce:	Microchip Technology
Cena s DPH :	389,460522 €
Cena bez DPH :	321,868200 €
DPH:	21 %
Dostupnosť:	na dotaz

Spolu skladom:	0 ks
Označenie výrobcu:	MSCDC50X1701AG
Centrálny sklad Zdice:	0 ks
Dodacia lehota vo výrobe:	42wk-49wk
Jednotka:	ks

Prehľad množstevných zliav
Množstvo (ks)	Cena bez DPH		Cena s DPH
1 +		321,868200 €		389,460522 €
5 +		308,455759 €		373,231468 €
10 +		295,044960 €		357,004402 €
25 +		281,633751 €		340,776839 €

Základné informácie:

Označenie výrobcu	MSCDC50X1701AG
Dodacia lehota vo výrobe	42wk-49wk [wk]
Typ súčiastky:	Bridge 3f Uncontrolled
Kategorie	Bridge Schottky SiC
Konfigurácia:	Bridge 3f
Počet obvodov (v puzdre)	2 ks
Typ puzdra:	Modul
Puzdro [inch] :	SP1F
Typ materiálu:	SiC
RoHS	Áno
REACH	Nie
NOVINKA	A
RoHS1	Ano

Balenie a hmotnosť:

Jednotka	ks
Hmotnosť:	96 [g]
Typ balenia:	TUBE
Malé balenie (počet jednotiek):	1

Elektro-fyzikálne parametre:

I_FAV / I_C (Tc/Ta=25°C)	50 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=100÷109°C)	50 [A]
I_F(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)	35 [A]
I_F(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)	30 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	1.8 [V_DC] ? Testovacie podmienky: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (spätný prúd)	200 [µA]

Teplotné a mechanické parametre:

*Rozmery (LWH)* [mm]:	52x43x12
T_min (minimálna pracovná teplota)	-40 [°C]
T_max (maximálna pracovná teplota)	175 [°C]
R_th-c (tepelný odpor)	0.32 [°C/W] ? R_th-c - definície pre rôzne súčiastky R_th-c= R_thjc pre celé puzdro R_th-c- fólie plocha inch²
RM - Rozstup vývodov	3.8 [mm]
RM1 - Rozteč radov vývodov	38 [mm]
L - Dĺžka	51.6 [mm]
W - Šírka	42.5 [mm]
H - Výška	12 [mm]
Rozmery vývodov	1,4 [mm]
Lv - Dĺžka vývodov	5.8 [mm]

Súvisiace produkty - MSCDC50X1701AG

I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izolovaná pouzdra SOT-227, ISOTOP v rozměru 25,4x38,1 mm
ID: 181709 Ozn.výrobcu: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni