- !_home_!
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCMC170AM08CT6LIAG
MSCMC170AM08CT6LIAG
Full SiC MOSFET 1700V/ 207A + SiC Diode - půl můstek
| ID Code: | 186152 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 5 957,7891 € |
| Cena bez DPH : | 4 923,7926 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | MSCMC170AM08CT6LIAG |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| množstevné zl´avy | Množstvo | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 4 923,7926 € | 5 957,7891 € | ||
| 5 + | 4 718,6280 € | 5 709,5399 € | ||
| 10 + | 4 513,4634 € | 5 461,2908 € | ||
| 25 + | 4 308,2988 € | 5 213,0416 € |
MOSFET 1200V Full SiC - půl můstek s velmi nízkou rozptylovou indukčností
Toto jsou vlastnosti zařízení MSCSM120AM02CT6LIAG: Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí svorky M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: řízení motorů - trakční pohony
Toto jsou vlastnosti zařízení MSCSM120AM02CT6LIAG: Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí svorky M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: řízení motorů - trakční pohony
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | MSCMC170AM08CT6LIAG |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Typ súčiastky: | SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D |
| Konfigurácia: | Half Bridge |
| Konštrukcia: | 2*FET-BD+2*D |
| Typ materiálu: | !_sic full_! |
| Material Base | Cu |
| RoHS | Áno |
| REACH | Áno |
| Typ puzdra: | MODUL |
| Puzdro: | !_modul-t6li_! |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 320 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 6 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 280 [A] ? Prúd pri najnižšej teplote. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 280 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 207 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 1780 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 11.7 [mΩ] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 70 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 75 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 55 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 11228 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 22000 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.07 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.086 [°C/W] |
| Rozmery vývodov | 0.00 [mm] |
Alternatívy a náhrady
| Alternatíva 1: | 186277 - MSCSM170AM058CT6LIAG (MCH) |
Súvisiace produkty - MSCMC170AM08CT6LIAG
 |
I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3
a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Ozn.výrobcu: F05-AL2-62x106mm
| Spolu skladom: 383 Výrobce: - |
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.