MSCSM120AM027CT6AG
MOSFET 1200V Full SiC MOS + SIC Diode
| ID Code: | 185287 |
| Výrobce: | Microchip Technology - Microsemi |
| Cena s DPH : | 1 483,7918 € |
| Cena bez DPH : | 1 226,2742 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | MSCSM120AM027CT6AG |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| množstevné zl´avy | Množstvo | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 1 226,2742 € | 1 483,7918 € | ||
| 5 + | 1 175,1877 € | 1 421,9771 € | ||
| 10 + | 1 124,0616 € | 1 360,1146 € | ||
| 25 + | 1 072,9751 € | 1 298,2999 € |
MOSFET 1200V Full SiC - půl můstek s nízkou rozptylovou indukčností
Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Velmi nízké Rdson, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Kelvinový zdroj pro snadné řízení, Nízká rozptylová indukčnost, M5 napájecí svorky, Vnitřní termistor pro sledování teploty, AlN substrát pro lepší tepelný přenos
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony
Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Velmi nízké Rdson, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Kelvinový zdroj pro snadné řízení, Nízká rozptylová indukčnost, M5 napájecí svorky, Vnitřní termistor pro sledování teploty, AlN substrát pro lepší tepelný přenos
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | MSCSM120AM027CT6AG |
| Typ puzdra: | MODUL |
| Puzdro: | !_modul-t6li_! |
| Kategorie | Full SiC (MOS+D) |
| Typ súčiastky: | !_n-mosfet_! |
| Konfigurácia: | Half Bridge |
| Typ materiálu: | !_sic full_! |
| Material Base | Cu |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 350 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 6 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 733 [A] ? Prúd pri najnižšej teplote. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 733 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 584 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| IR (spätný prúd) | 1800 [µA] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 2970 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 3.5 [mΩ] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 67 [ns] |
| fmax max.frequency (max./typ.) | 0.06 [MHz] ? fmax - definície pre súčiastky fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
| Qg (Total Gate Charge) | 2088 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 27000 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.07 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.175 [°C/W] |
| Rozmery vývodov | 0.00 [mm] |
Alternatívy a náhrady
| Alternatívne tovary 1: | MD400HFR120B3S |
Súvisiace produkty - MSCSM120AM027CT6AG
 |
I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3
a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Ozn.výrobcu: F05-AL2-62x106mm
| Spolu skladom: 534 Výrobce: - |
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.