- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120AM02CT6LIAG
MSCSM120AM02CT6LIAG
MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode
| ID Code: | 185251 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 2 227,427148 € |
| Cena bez DPH : | 1 840,848883 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | MSCSM120AM02CT6LIAG |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 1 840,848883 € | 2 227,427148 € | ||
| 5 + | 1 764,147632 € | 2 134,618634 € | ||
| 10 + | 1 687,445561 € | 2 041,809129 € | ||
| 25 + | 1 610,743490 € | 1 948,999623 € |
MOSFET 1200V Full SiC - půl můstek s velmi nízkou rozptylovou indukčností
Toto jsou vlastnosti zařízení MSCSM120AM02CT6LIAG: Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí svorky M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony
Toto jsou vlastnosti zařízení MSCSM120AM02CT6LIAG: Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí svorky M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vynikající výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Svářecí invertory, Spínané napájecí zdroje, Nepřerušitelné zdroje napájení, Motor EV a trakční pohony
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | MSCSM120AM02CT6LIAG |
| Typ súčiastky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurácia: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Špecifikácia: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konštrukcia: | 2*FET-BD+2*D |
| Typ puzdra: | Modul |
| Puzdro [inch] : | SP6LI |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 350 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 754 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| IR (spätný prúd) | 1200 [µA] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 3750 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 67 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 2784 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 36240 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Rozmery (L*W*H) [mm]: | 108x62x22 |
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.04 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.109 [°C/W] |
| L - Dĺžka | 108 [mm] |
| W - Šírka | 62 [mm] |
| H - Výška | 22 [mm] |
Súvisiace produkty - MSCSM120AM02CT6LIAG
 |
I+case 62x106_F05-AL2 Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3
a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Ozn.výrobcu: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Spolu skladom: 4593 Výrobce: SEMIC EU |
||||||||||||
 |
SP6CA1 Deska adaptéru pro 1200V SP6LI moduly řízené budičem 2ASC-12A1HP ID: 185302 Ozn.výrobcu: SP6CA1
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASBK-014 PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver ID: 185353 Ozn.výrobcu: ASBK-014
| Spolu skladom: 1 Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI Startovací vývojový KIT s jádry ovladačů SiC modulů 1200V 2 x 3W, plně programovatelné softwarem ID: 185559 Ozn.výrobcu: ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
ASBK-015 Sada hardwaru k modulům - SP6LI a adaptérům jádra budiče ID: 185841 Ozn.výrobcu: ASBK-015
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
||||||||||||
 |
2ASC-12A2HP Dual-Channel Augmented Core 2 -1200V ID: 189282 Ozn.výrobcu: 2ASC-12A2HP
| na dotaz Výrobce: Microchip Technology |
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.