- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120AM16CT1AG
MSCSM120AM16CT1AG
Full SiC MOSFET 1200V / 138A
| ID Code: | 186151 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 348,124208 € |
| Cena bez DPH : | 287,705957 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | Skladom |
| Spolu skladom: | 4 ks |
| Označenie výrobcu: | MSCSM120AM16CT1AG |
| Centrálny sklad Zdice: | 4 ks |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 287,705957 € | 348,124208 € | ||
| 5 + | 275,718424 € | 333,619293 € | ||
| 10 + | 263,730460 € | 319,113857 € | ||
| 25 + | 251,742928 € | 304,608943 € |
• SiC Power MOSFET - Vysokorychlostní přepínání, - Nízký Rdson - Ultra nízká ztráta
• Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon
• Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | MSCSM120AM16CT1AG |
| Typ súčiastky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurácia: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Špecifikácia: | !_sic n-channel mosfet_! |
| Konštrukcia: | 2*FET-BD+2*D |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| Typ puzdra: | MODUL |
| Puzdro: | !_sp1f_! |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 96 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 173 [A] ? Prúd pri najnižšej teplote. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 173 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 138 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 745 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 16 [mΩ] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 464 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 6040 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.2 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.477 [°C/W] |
| RM - Rozstup vývodov | 3.8 [mm] |
| RM1 - Rozteč radov vývodov | 38 [mm] |
| W - Šírka | 42.5 [mm] |
| L - Dĺžka | 51.6 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 52x43x12 [mm] |
| Rozmery vývodov | 1,4 [mm] |
| Lv - Dĺžka vývodov | 5.8 [mm] |
Alternatívy a náhrady
| Alternatívne tovary 1: | CAB011M12FM3 |