Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

MSCSM120AM31CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 71A

Prílohy:
Kliknutím zväčšíte
MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120AM31CT1AG Microchip Technology - Microsemi
ks
ID Code:186150
Výrobce:Microchip Technology - Microsemi
Cena s DPH : 157,2857 €
Cena bez DPH : 129,9881 €
DPH:21 %
Dostupnosť:Skladom
Spolu skladom:7 ks
Označenie výrobcu: MSCSM120AM31CT1AG
Centrálny sklad Zdice: 7 ks
Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): 0 ks
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 129,9881 €157,2857 €
5 + 124,5753 €150,7361 €
10 + 119,1624 €144,1865 €
25 + 113,7495 €137,6369 €
• SiC Power MOSFET - Vysokorychlostní přepínání, - Nízký Rdson - Ultra nízká ztráta
• Schottkyho dioda SiC - Nulové zpětné zotavení, - Nulové zotavení dopředné, - Chování nezávislé na teplotě, - Kladný teplotní koeficient na VF • Velmi nízká parazitní indukčnost
• Interní termistor pro monitorování teploty
• Vysoká úroveň integrace
• AlN substrát pro nižší tepelný výkon

Základné informácie:

Označenie výrobcuMSCSM120AM31CT1AG 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:!_modul-sp1f_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Konfigurácia:Half Bridge 
Typ materiálu:!_sic_! 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:82.2 [g]
Typ balenia:TUBE 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)89 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)71 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičom (TC=25°C)395 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)31 [mΩ]
trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.04 [MHz] ?

fmax - definície pre súčiastky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin (Input Capacitance)3020 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.38 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.9 [°C/W]
Rozmery vývodov0.00 [mm]

Alternatívy a náhrady

Alternatívne tovary 1:CAB011M12FM3 
Alternatívne tovary 2:CAB016M12FM3 

Vaša otázka MSCSM120AM31CT1AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
Váš email:*
Váše telefonne číslo:*
Vaša otázka:*
Prosím prepíšte kód:* antispam
     Ďalšie informácie

pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie