- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120DAM11CT3AG
MSCSM120DAM11CT3AG
Boost Chopper Sic Mosfet Power Module 1200V / 254A SP3F
| ID Code: | 188037 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 363,188790 € |
| Cena bez DPH : | 300,156025 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | MSCSM120DAM11CT3AG |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Dodacia lehota vo výrobe: | 42wk-49wk |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 300,156025 € | 363,188790 € | ||
| 5 + | 287,649764 € | 348,056214 € | ||
| 10 + | 275,143092 € | 332,923141 € | ||
| 25 + | 262,636830 € | 317,790564 € |
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | MSCSM120DAM11CT3AG |
| Dodacia lehota vo výrobe | 42wk-49wk [wk] |
| Typ súčiastky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurácia: | Low side 1*(Boost Chopper) |
| Špecifikácia: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konštrukcia: | 1*FET-BD+1*D |
| Typ puzdra: | Modul |
| Puzdro [inch] : | SP3F |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 125 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 202 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| IR (spätný prúd) | 1200 [µA] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 1067 [W] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 696 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 9060 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Rozmery (L*W*H) [mm]: | 73x43x12 |
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.141 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.175 [°C/W] |
| RM - Rozstup vývodov | 3.81 [mm] |
| RM1 - Rozteč radov vývodov | 38 [mm] |
| L - Dĺžka | 73.4 [mm] |
| W - Šírka | 42.5 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozmery vývodov | 1,35 [mm] |
| Lv - Dĺžka vývodov | 5.3 [mm] |