- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120HM16CTBL3NG
MSCSM120HM16CTBL3NG
SiC Mosfet Power Module 1200V 150A 560W Case BL3
| ID Code: | 189856 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 948,6423 € |
| Cena bez DPH : | 784,0019 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | MSCSM120HM16CTBL3NG |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| množstevné zl´avy | Množstvo | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 784,0019 € | 948,6423 € | ||
| 5 + | 751,3352 € | 909,1156 € | ||
| 10 + | 718,6685 € | 869,5888 € | ||
| 25 + | 686,0017 € | 830,0621 € |
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | MSCSM120HM16CTBL3NG |
| Typ súčiastky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurácia: | Bridge 1f |
| Špecifikácia: | !_sic n-channel mosfet_! |
| Konštrukcia: | 4*FET-BD+4*D |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| Typ puzdra: | MODUL |
| Puzdro: | !_bl3_! |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 39 [g] |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 150 [A] ? Prúd pri najnižšej teplote. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 150 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 120 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| IR (spätný prúd) | 20 [µA] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 560 [W] |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 16 [mΩ] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 464 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 6040 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -55 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.268 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.45 [°C/W] |
| W - Šírka | 52.6 [mm] |
| L - Dĺžka | 47.5 [mm] |
| H - Výška | 9.3 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 48x53x9 [mm] |
| Lv - Dĺžka vývodov | 5.8 [mm] |