- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM120TAM31CT3AG
MSCSM120TAM31CT3AG
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
| ID Code: | 186279 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 522,3876 € |
| Cena bez DPH : | 431,7253 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | MSCSM120TAM31CT3AG |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| množstevné zl´avy | Množstvo | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 431,7253 € | 522,3876 € | ||
| 5 + | 413,7362 € | 500,6208 € | ||
| 10 + | 395,7480 € | 478,8551 € | ||
| 25 + | 377,7594 € | 457,0889 € |
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
Zařízení MSCSM120TAM31CT3AG je navrženo pro následující aplikace: • Nepřerušitelné napájecí zdroje • Spínané napájecí zdroje • Elektromotor a trakční pohon • Svařovací invertory.
• SiC Power MOSFET - Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, rychlé spínání, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, • Velmi nízká zbloudilá indukčnost
Zařízení MSCSM120TAM31CT3AG je navrženo pro následující aplikace: • Nepřerušitelné napájecí zdroje • Spínané napájecí zdroje • Elektromotor a trakční pohon • Svařovací invertory.
• SiC Power MOSFET - Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, rychlé spínání, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, • Velmi nízká zbloudilá indukčnost
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | MSCSM120TAM31CT3AG |
| Typ súčiastky: | Modul |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurácia: | Bridge 3f |
| Špecifikácia: | !_sic n-channel mosfet_! |
| Konštrukcia: | 6*FET-BD+6*D |
| Typ materiálu: | !_sic full_! |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| Typ puzdra: | MODUL |
| Puzdro: | !_sp3f_! |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 125 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 3 |
| Veľké balenie (BOX): | 0 |
| Paleta (počet jednotiek): | 0 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 89 [A] ? Prúd pri najnižšej teplote. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 89 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 71 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 395 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 31 [mΩ] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 232 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 3020 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 125 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.38 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.9 [°C/W] |
| RM - Rozstup vývodov | 3.81 [mm] |
| RM1 - Rozteč radov vývodov | 38 [mm] |
| W - Šírka | 42.5 [mm] |
| L - Dĺžka | 73.4 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 73x43x12 [mm] |
| Rozmery vývodov | 1,35 [mm] |
| Lv - Dĺžka vývodov | 5.3 [mm] |
Alternatívy a náhrady
| Alternatíva 1: | 183781 - CCS050M12CM2 (CRE) |
| Alternatívne tovary 1: | CCB032M12FM3 |