Česká republika (čeština) angličtina Nemecko (Deutsch) Rakúsko (Deutsch) Švajčiarsko (Deutsch) Slovenská republika (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francúzsko (français) Taliansko (italiano) Poľsko (polski) Estónsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španielsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvátsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žiadne položky

MSCSM120TAM31CT3AG

SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack

ks
ID Code:186279
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 508,5080 €
Cena bez DPH : 420,2545 €
DPH:21 %
Dostupnosť:na dotaz
Spolu skladom:0 ks
Označenie výrobcu: MSCSM120TAM31CT3AG
Centrálny sklad Zdice: 0 ks
Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): 0 ks
Jednotka: ks
množstevné zl´avy
MnožstvoCena bez DPHCena s DPH
1 + 420,2545 €508,5080 €
5 + 402,7434 €487,3196 €
10 + 385,2327 €466,1316 €
25 + 367,7224 €444,9441 €
SiC MOSFET 1200V / 71A SixPack
Zařízení MSCSM120TAM31CT3AG je navrženo pro následující aplikace: • Nepřerušitelné napájecí zdroje • Spínané napájecí zdroje • Elektromotor a trakční pohon • Svařovací invertory.
• SiC Power MOSFET - Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, rychlé spínání, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, • Velmi nízká zbloudilá indukčnost

Základné informácie:

Označenie výrobcuMSCSM120TAM31CT3AG 
Typ puzdra:MODUL 
Puzdro:!_modul-sp3f_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Typ súčiastky:!_sic mosfet+sic schottky diode_! 
Konfigurácia:!_full bridge 3f_! 
Konštrukcia:!_6*fet+6*d_! 
Typ materiálu:!_sic full_! 
Material BaseCu+AlN 
RoHSÁno 
REACHNie 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balenie a hmotnosť:

Jednotkaks 
Hmotnosť:110 [g]
Typ balenia:BOX 
Malé balenie (počet jednotiek):

Elektro-fyzikálne parametre:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definície pre súčiastky


Udc = URRM - Dióda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)89 [A] ?

Prúd pri najnižšej teplote.
Špecifikácie v datasheete.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)89 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)71 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testovacie podmienky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičom (TC=25°C)395 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)31 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin (Input Capacitance)3020 [pF]

Teplotné a mechanické parametre:

Tmin (minimálna pracovná teplota)-40 [°C]
Tmax (maximálna pracovná teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - definície pre rôzne súčiastky


Rth-c = Rthjc pre celé puzdro

Rth-c - fólie plocha inch2

Rthjc1 IGBT0.38 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.9 [°C/W]
Rozmery vývodov0.00 [mm]

Alternatívy a náhrady

Alternatíva 1:183781 - CCS050M12CM2 (CRE) 
Alternatívne tovary 1:CCB032M12FM3 

Vaša otázka MSCSM120TAM31CT3AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
Váš email:*
Váše telefonne číslo:*
Vaša otázka:*
Prosím prepíšte kód:* antispam
     Ďalšie informácie

pošlete odkaz svému známému

Vaše meno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Prosím prepíšte kód z obrázku antispam

Pri poskytovaní služieb nám pomohli cookies. Využívaním našich služieb súhlasíte s používanie cookies.   Ďalšie informácie