MSCSM170AM058CT6LIAG
MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode
| ID Code: | 186277 |
| Výrobce: | Microchip Technology - Microsemi |
| Cena s DPH : | 1 338,1711 € |
| Cena bez DPH : | 1 105,9265 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | MSCSM170AM058CT6LIAG |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Externý sklad (dodacia doba 5÷10 dní): | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| množstevné zl´avy | Množstvo | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 1 105,9265 € | 1 338,1711 € | ||
| 5 + | 1 059,8183 € | 1 282,3801 € | ||
| 10 + | 1 013,7495 € | 1 226,6369 € | ||
| 25 + | 967,6808 € | 1 170,8937 € |
MOSFET 1700V Full SiC - půl můstek s velmi nízkou rozptylovou indukčností a nízkým pouzdrem
Vlastnosti zařízení MSCSM170AM058CT6LIAG : Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vyborný výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Motor EV a trakční pohony
Vlastnosti zařízení MSCSM170AM058CT6LIAG : Full SiC power Mosfet, Nízké Rdson, Vysoký teplotní výkon, SiC Schottkyho dioda, Nulové zpětné zotavení, Nulové dopředné zotavení, Chování spínání nezávislé na teplotě, Kladný teplotní koeficient na VF, Velmi nízká rozptylová indukčnost, Vnitřní termistor pro sledování teploty, Napájecí konektory M4 a M5, M2.5 signální vývody, AlN substrát pro lepší tepelný přenos, Vysoce účinný převodník, Vyborný výkon při vysokofrekvenčním provozu
Typické aplikace: Motor EV a trakční pohony
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | MSCSM170AM058CT6LIAG |
| Typ puzdra: | MODUL |
| Puzdro: | !_modul-t6li_! |
| Kategorie | Full SiC (MOS+D) |
| Typ súčiastky: | !_n-mosfet_! |
| Konfigurácia: | Half Bridge |
| Typ materiálu: | !_sic full_! |
| Material Base | Cu |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 320 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 281 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| IR (spätný prúd) | 3000 [µA] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 1642 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 7.5 [mΩ] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 27 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 48 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 30 [ns] |
| fmax max.frequency (max./typ.) | 0.08 [MHz] ? fmax - definície pre súčiastky fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
| Qg (Total Gate Charge) | 1068 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 19800 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.09 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.1 [°C/W] |
| Rozmery vývodov | 0.00 [mm] |
Alternatívy a náhrady
| Alternatíva 1: | 186152 - MSCMC170AM08CT6LIAG (MIS) |
Súvisiace produkty - MSCSM170AM058CT6LIAG
 |
I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra jako SEMITRANS-3
a v rozměru 62x106 mm ID: 176035 Ozn.výrobcu: F05-AL2-62x106mm
| Spolu skladom: 534 Výrobce: - |
Všetky ceny sú uvedené bez DPH a nezahŕňajú prepravné náklady, ktoré budú pripočítané k objednávke ako samostatná položka.