- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM70TAM19CT3AG
MSCSM70TAM19CT3AG
Triple Phase Leg Sic Mosfet Power Module, 700V, 124A, SP3F, 365W
| ID Code: | 188003 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 512,854419 € |
| Cena bez DPH : | 423,846627 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | MSCSM70TAM19CT3AG |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| Prehľad množstevných zliav | Množstvo (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 423,846627 € | 512,854419 € | ||
| 5 + | 406,184540 € | 491,483293 € | ||
| 10 + | 388,524503 € | 470,114648 € | ||
| 25 + | 370,864056 € | 448,745507 € |
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | MSCSM70TAM19CT3AG |
| Typ súčiastky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurácia: | Half Bridge 3*(Phase Leg) |
| Špecifikácia: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konštrukcia: | 6*FET-BD+6*D |
| Typ puzdra: | Modul |
| Puzdro [inch] : | SP3F |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 125 [g] |
| Typ balenia: | BOX |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 1 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 700 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 98 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| IR (spätný prúd) | 200 [µA] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 365 [W] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 38 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 35 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 20 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 215 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 4500 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Rozmery (L*W*H) [mm]: | 73x43x12 |
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 175 [°C] |
| Rth-c (tepelný odpor) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - definície pre rôzne súčiastky Rth-c = Rthjc pre celé puzdro Rth-c - fólie plocha inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.41 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.86 [°C/W] |
| RM - Rozstup vývodov | 3.81 [mm] |
| RM1 - Rozteč radov vývodov | 38 [mm] |
| L - Dĺžka | 73.4 [mm] |
| W - Šírka | 42.5 [mm] |
| H - Výška | 12 [mm] |
| Rozmery vývodov | 1,35 [mm] |
| Lv - Dĺžka vývodov | 5.3 [mm] |