- Home
- Polovodiče
- Tranzistory
- SiC
- Full SiC
- MSCSM70VM10C4AG
MSCSM70VM10C4AG
Vienna Rectifier phase leg Sic Mosfet Power Module 700V / 238A SP4
| ID Code: | 188047 |
| Výrobce: | Microchip Technology |
| Cena s DPH : | 482,1525 € |
| Cena bez DPH : | 398,4731 € |
| DPH: | 21 % |
| Dostupnosť: | na dotaz |
| Spolu skladom: | 0 ks |
| Označenie výrobcu: | MSCSM70VM10C4AG |
| Centrálny sklad Zdice: | 0 ks |
| Jednotka: | ks |
| množstevné zl´avy | Množstvo | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
| 1 + | 398,4731 € | 482,1525 € | ||
| 5 + | 381,8715 € | 462,0645 € | ||
| 10 + | 365,2686 € | 441,9750 € | ||
| 25 + | 348,6657 € | 421,8855 € |
Základné informácie:
| Označenie výrobcu | MSCSM70VM10C4AG |
| Typ súčiastky: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfigurácia: | Vienna Rectifier Phase Leg |
| Špecifikácia: | !_sic n-channel mosfet_! |
| Konštrukcia: | 2*FET-BD+4*D |
| Typ materiálu: | SiC Full |
| RoHS | Áno |
| REACH | Nie |
| Typ puzdra: | MODUL |
| Puzdro: | !_sp4_! |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Balenie a hmotnosť:
| Jednotka | ks |
| Hmotnosť: | 180 [g] |
| Typ balenia: | TUBE |
| Malé balenie (počet jednotiek): | 7 |
Elektro-fyzikálne parametre:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 700 [V] ? Udc - definície pre súčiastky Udc = URRM - Dióda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 238 [A] ? Prúd pri najnižšej teplote. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Tyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Tranzistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 238 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 189 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testovacie podmienky: |
| IR (spätný prúd) | 400 [µA] |
| Pmax s chladičom (TC=25°C) | 674 [W] |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 9.5 [mΩ] |
| trr doba zotavenia (If=Inom.,@25°C) | 38 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 35 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 20 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 430 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 9000 [pF] |
Teplotné a mechanické parametre:
| Tmin (minimálna pracovná teplota) | -40 [°C] |
| Tmax (maximálna pracovná teplota) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.222 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.466 [°C/W] |
| RM - Rozstup vývodov | 3.81 [mm] |
| W - Šírka | 40.4 [mm] |
| L - Dĺžka | 93 [mm] |
| H - Výška | 17.2 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 93x40x17 [mm] |
| Rozmery vývodov | 1,25 [mm] |
| Lv - Dĺžka vývodov | 2.9 [mm] |