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SEMiX151GB17E4s

IGBT 1700V

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SEMiX151GB17E4s Semikron
SEMiX151GB17E4s Semikron
SEMiX151GB17E4s Semikron
Stück
ID Code:178989
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 203,011111 €
Preis ohne MwSt. : 167,777778 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SEMiX151GB17E4s
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Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 167,777778 €203,011111 €
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32 + 52,460317 €63,476984 €
128 + 47,222222 €57,138889 €
IGBT 1700V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX151GB17E4s 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMiX-1s 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:165 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)260 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)198 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.98 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.9 [V]
tr (Turn-on / rise time)47 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)150 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1200 [nC]
Cin (Input Capacitance)9300 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:84x64x23 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.162 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 84 [mm]
W - Breite 64 [mm]
H - Höhe 23 [mm]

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